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Descrição

Transistor Bipolar NPN BD139

Identificador: bd139

Especificações Técnicas:

ParâmetroEspecificação
Tensão Coletor-Emissor (VCEO)80 V
Corrente Contínua de Coletor (IC)1.5 A
Ganho de Corrente Mínimo (hFE)40
Tensão de Saturação (VCE sat)0.5 V
Dissipação Máxima de Potência (PD)12.5 W

* Semicondutor novo, acondicionado em embalagem antiestática protegida.

* Verifique o datasheet para condições detalhadas de operação e curva de ganho térmico.