Documentação Completa: 🔗 Clique aqui para abrir o Datasheet Técnico do IRF9Z24N em PDF para consultar os gráficos de tempo de comutação, curvas de transferência e limites de temperatura do silício.
Part Number: IRF9Z24N
Tipo de Transistor: MOSFET de Potência HEXFET® (Canal P)
Encapsulamento: TO-220 (Fácil fixação em dissipadores de calor)
Tensão Máxima Dreno-Fonte (VDSS): -55V
Corrente Contínua de Dreno (ID): -12A (a 25°C) / -8.5A (a 100°C)
Corrente de Pulso Máxima (IDM): -48A
Resistência Máxima em Condução (RDSon): 0.175 Ohms
Dissipação de Potência Máxima (PD): 45W
Aplicações Comuns: Circuitos de chaveamento de lado alto (High-Side Switch), pontes H para inversão de sentido de motores DC, circuitos de proteção contra inversão de polaridade, conversores DC-DC e drivers de carga para automação.
10 unidades do Transistor MOSFET de Canal P IRF9Z24N (Encapsulamento TO-220)
Estoque Nacional e Pronta Entrega: Postagem ágil para garantir que a sua linha de montagem ou bancada de testes não fique parada esperando importação.
Componentes de Procedência: Semicondutores novos e originais.
Nota Fiscal Eletrônica: Emitimos NF-e de forma automática para CPF e CNPJ em todas as vendas.
Envio Protegido: Embalagem reforçada contra impactos, garantindo que os pinos cheguem perfeitamente alinhados e prontos para a soldagem.
