Documentação Completa: 🔗 Clique aqui para abrir o Datasheet Técnico do IRFD210 em PDF para consultar as dimensões exatas de furação, capacitância de entrada e gráficos de curvas de chaveamento.
Part Number: IRFD210
Tipo de Transistor: MOSFET de Potência Compacto (Canal N)
Encapsulamento: Hexdip / DIP-4 (4 pinos para montagem Through-Hole)
Tensão Máxima Dreno-Fonte (VDSS): 200V
Corrente Contínua de Dreno (ID): 0.6A
Resistência Máxima em Condução (RDSon): 1.5 Ohms
Dissipação de Potência Máxima (PD): 1.0W
Aplicações Comuns: Drivers de linha, acionamento de relés e contatores de baixa potência, circuitos de chaveamento rápido de sinal, amplificadores de pulso e interfaces de controle com microcontroladores (como relés de bancada).
10 unidades do Transistor MOSFET IRFD210 (Encapsulamento DIP-4)
Estoque Nacional e Pronta Entrega: Postagem ágil para garantir que a sua linha de montagem ou bancada de testes não fique esperando.
Componentes de Linha: Peças novas.
Nota Fiscal Eletrônica: Emitimos NF-e de forma automática para CPF e CNPJ em todas as vendas.
Embalagem Apropriada: Enviado em tubos protetores ou berços de espuma condutiva, garantindo que os terminais DIP cheguem perfeitamente alinhados e sem deformações.
