Documentação Completa: 🔗 Clique aqui para abrir o Datasheet Técnico do IRF9Z34NPBF em PDF para consultar os gráficos de tempo de chaveamento, curvas de operação segura (SOA) e pinagem detalhada.
Part Number: IRF9Z34NPBF (Marcação no corpo: IRF9Z34N)
Tipo de Transistor: MOSFET de Potência HEXFET® (Canal P)
Encapsulamento: TO-220 (Fácil montagem e excelente acoplamento com dissipadores)
Conformidade: PBF (Lead-Free / Livre de Chumbo / Certificação RoHS)
Tensão Máxima Dreno-Fonte (VDSS): -55V
Corrente Contínua de Dreno (ID): -19A (a 25°C) / -14A (a 100°C)
Corrente de Pulso Máxima (IDM): -68A
Resistência Máxima em Condução (RDSon): 0.10 Ohms
Dissipação de Potência Máxima (PD): 68W
Aplicações Comuns: Circuitos de comutação de lado alto (High-Side Switch), pontes H para controle de motores DC, circuitos de proteção contra inversão de polaridade de baterias, conversores DC-DC e drivers de carga em geral.
10 unidades do Transistor MOSFET de Canal P IRF9Z34NPBF (Encapsulamento TO-220)
Estoque Nacional e Pronta Entrega: Seu kit é postado rapidamente para garantir a agilidade que seus reparos ou produções exigem.
Componentes Certificados: Peças novas e originais.
Nota Fiscal Eletrônica: Emitimos NF-e de forma automática para CPF e CNPJ em todas as vendas.
Envio Protegido: Componentes embalados em invólucros antiestáticos com proteção interna reforçada, garantindo que os pinos cheguem perfeitamente alinhados para a soldagem.
