Documentação Completa: 🔗 Clique aqui para abrir o Datasheet Técnico do IRF2804 em PDF para consultar os gráficos de carga de gate, curvas de transferência e limites de temperatura do silício.
Part Number: IRF2804
Tipo de Transistor: MOSFET de Potência HEXFET® (Canal N)
Encapsulamento: TO-220 (Fácil montagem e excelente acoplamento com dissipadores)
Tensão Máxima Dreno-Fonte (VDSS): 40V
Corrente Contínua de Dreno (ID): 75A (Corrente máxima contínua limitada pelo encapsulamento TO-220 / Capacidade teórica do silício de até 280A)
Corrente de Pulso Máxima (IDM): Impressionantes 1080A (Altíssima tolerância a picos de partida)
Resistência Máxima em Condução (RDSon): Apenas 0.002 Ohms (Ultra baixa perda - 2.0 mΩ)
Dissipação de Potência Máxima (PD): 330W
Aplicações Comuns: Fontes de alimentação e estágios de saída de módulos de som automotivo, inversores de tensão DC-AC, sistemas de nobreak (UPS) robustos, controladores de motores de alta corrente (veículos elétricos/robótica) e chaves eletrônicas de alta velocidade.
05 unidades do Transistor MOSFET IRF2804 (Encapsulamento TO-220)
Estoque Nacional e Pronta Entrega: Postagem rápida para garantir que a sua bancada ou linha de montagem não fique parada esperando importação.
Componentes de Alta Linha: Peças novas e selecionadas.
Nota Fiscal Eletrônica: Emitimos NF-e de forma automática para CPF e CNPJ em todas as vendas.
Embalagem Segura: Proteção reforçada, assegurando que os pinos cheguem perfeitamente alinhados e prontos para a soldagem.
